闪存和EEPROM有限的写入循环对任何真正类似RAM的角色来说都是一个严重问题。此外，写入单元所需的高功率在低功耗角色中是一个问题，而NVRAM经常用于这些角色。功率也需要时间在称为电荷泵的设备中"累积"，这使得写入比读取慢得多，通常慢1000倍。已提出了许多新型存储器设备来解决这些缺点。
FeRAM
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迄今为止，唯一进入广泛生产的此类系统是铁电随机存储器（F-RAM），它是一种随机存储器，其结构类似于DRAM，但（不像DRAM中的介电质）含有一层薄的锆钛酸铅盐[Pb(Zr,Ti)O3]铁电膜，通常简称为PZT。PZT中的Zr/Ti原子在电场中改变极性，从而产生一个二进制开关。与RAM设备不同，F-RAM在电源关闭或中断时保留其数据记忆，这是由于PZT晶体保持极性所致。由于这种晶体结构及其受影响方式，F-RAM与其他非易失性存储器选项相比具有独特的特性，包括极高的耐久性（3.3 V设备超过1016访问循环）、超低功耗（因为F-RAM不像其他非易失性存储器那样需要电荷泵）、单周期写入速度和伽马辐射耐受性。[10] Ramtron International（英语：Ramtron International）已开发、生产和授权F-RAM，其他已授权和生产F-RAM技术的公司包括德州仪器、罗姆和富士通。
MRAM
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另一种得到重大开发努力的方法是磁阻式随机存储器（MRAM），它使用磁性组件，总体上其操作方式与磁芯类似，至少对于第一代技术而言是如此。迄今为止，只有一款MRAM芯片投入生产：飞思卡尔半导体（英语：Everspin Technologies）的4 Mbit部件，它是一种使用交叉点场诱导写入的第一代MRAM。[11] 目前正在开发两种第二代技术：热辅助切换（TAS）[12]，由Crocus Technology（英语：Crocus Technology）开发，以及自旋转移矩（STT），Crocus、海力士、IBM和其他几家公司正在研究。[13] STT-MRAM似乎允许比第一代更高的密度，但由于与FeRAM相同的原因而落后于闪存——闪存市场的巨大竞争压力。
PRAM
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另一种不仅仅处于实验阶段的固态技术是相变化存储器（PRAM），它基于与可写入的CD和DVD相同的存储机制，但根据电阻的变化而不是光学特性的变化来读取它们。一段时间被视为黑马后，2006年三星宣布推出512 Mbit部件，其容量明显高于MRAM或FeRAM。这些部件的面积密度似乎甚至高于现代闪存设备，总体存储较低是由于缺乏多位编码。这一宣布之后是英特尔和意法半导体的宣布，他们在2006年10月的英特尔开发者论坛上展示了自己的PRAM设备。
英特尔和美光科技曾有一个合资企业，以3D XPoint、Optane和QuantX的名称销售PRAM设备，该合资企业于2022年7月终止。[14][15]
意法半导体制造用于汽车应用的相变存储器设备。